陶瓷产品
TaC 涂层石墨晶片载体
用于氮化镓和碳化硅薄膜沉积设备
Momentive Technologies 提供一种称为碳化钽（TaC）涂层的专有涂层技术。 其高温
TaC 具有稳定性和高耐化学腐蚀性，可提高石墨反应器元件的寿命，并在 LED、深紫外和电力电子产品的 GaN 和 SiC 器件生产中提高工艺产量和产品质量。
关键特性
- 高温稳定性 >2200 °C
- 超高純度
- 耐H2、NH3 和SiH4
- 抗热库存
- 与石墨的附着力强
- 保形涂料覆盖率
- 直径最大 750 毫米
潜在应用
- 晶片载体
- 电感加热感应器
- 电阻式加热元件
- 卫星盘
- 淋浴喷头
- 喷嘴
- 遮蔽环
- 隔热罩
具有高结晶度和优异均匀性的 TaC 涂层
在 1500 °C 的NH3中，TaC 和 SiC 涂层的耐腐蚀性能比较
TaC 和 SiC 涂层的典型特性比较
| 密度 (gm/cm3) | 发射率(1) | 热膨胀系数（x10-6/K） | 硬度 (HK) | 电阻率 (Ohm-cm) | 热稳定性 | 在NH3中的蚀刻速率(2)(μm/hr) | H3中的蚀刻速率(3)(μm/hr) | 厚度偏差 | 石墨尺寸变化 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1x10-5 |
> 2200°C |
0.2 |
0.1 |
~5% |
~17 μm |
|
SiC |
3.2 |
0.8 |
4.5 |
2800 |
2x10-3 |
< 1600°C |
1.5 |
1.7 |
~10% |
~100 μm |
注：测试数据。 实际结果可能有所不同。
典型性质和一般数据不能作为规范使用或用于制定规范。
(1) 发射率在 950 纳米和 1000 °C 时测量。
(2)NH3中的蚀刻速率是在 1400 °C 和 500 Torr 条件下测量的。
(3)H2中的蚀刻速率是在 1400 °C 和 760 Torr 条件下测量的。
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