陶瓷产品
TaC 涂层石墨炉部件
适用于碳化硅 (SiC) 和氮化铝 (AIN) 晶体生长
Momentive 功能材料公司提供一种称为碳化钽（TaC）涂层的专有涂层技术。 TaC 具有高温稳定性、高纯度和高耐化学腐蚀性，可抑制与石墨接触的污染，延长石墨元件的寿命，并可在高温下使用。
保持升华化学计量学。
最终，TaC 涂层石墨元件通过物理气相传输（PVT）和高温化学气相沉积（HT-CVD），提高了 SiC 和 AlN 晶体生长的工艺产量和晶体质量。
关键特性
- 高温稳定性 >2200 °C
- 超高純度
- 对 Si 和 H
- 抗热库存
- 与石墨的附着力强
- 保形涂料覆盖率
- 直径最大 750 毫米
潜在应用
- 坩埚
- 盖子
- 种子架
- 环
- 注射器
- 缓冲器
高结晶度、高均匀度的 TaC 涂层
TaC 涂层与纯化研究级石墨的比较
| 单位 (ppm. wt.) | B | N | O | Si | S | Cl | Nb |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
< 0.01 |
15 |
40 |
< 0.01 |
< 0.01 |
14 |
14 |
|
石墨 |
1 |
480 |
260 |
2 |
5 |
2 |
< 0.01 |
采用 TaC 涂层石墨坩埚与普通石墨坩埚生长的 SiC 晶圆的典型缺陷比较
采用 TaC 涂层石墨坩埚与普通石墨坩埚生长的 SiC 晶圆的电学特性比较
| 体积浓度 | 体积电阻率 | 流动性 | |
|---|---|---|---|
|
TaC |
8 x 1015/cm |
4.5 ohm-cm |
237 cm2/Vs |
|
石墨 |
5 x 1017/cm |
0.1 ohm-cm |
151 cm2/Vs |
TaC 和 SiC 涂层的典型特性比较
| 密度 (gm/cm3) | 发射率(1) | 热膨胀系数（x10-6/K） | 硬度 (HK) | 电阻率 (Ohm-cm) | 热稳定性 | 在NH3中的蚀刻速率(2)(μm/hr) | H2中的蚀刻速率(3)(μm/hr) | 厚度偏差 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1x10-5 |
> 2200°C |
0.2 |
0.1 |
~5% |
|
SiC |
3.2 |
0.8 |
4.5 |
2800 |
2x10-3 |
< 1600°C |
1.5 |
1.7 |
~10% |
注：测试数据。 实际结果可能有所不同。
典型性质和一般数据不能作为规范使用或用于制定规范。
(1) 发射率在 950 纳米和 1000 °C 时测量。
(2)NH3中的蚀刻速率是在 1400 °C 和 500 Torr 条件下测量的。
(3)H2中的蚀刻速率是在 1400 °C 和 760 Torr 条件下测量的。
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